真空鍍膜設(shè)備實驗分析與討論
1）蒸發(fā)過程中的真空條件
真空容器內(nèi)蒸汽分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離 （稱蒸距）時， 就會獲得充分的真空條件。為此， 增加殘余氣體的平均自由程， 借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞幾率， 把真空室內(nèi)抽成高真空是非常必要的。
2）蒸發(fā)源選取原則
①有良好的熱穩(wěn)定性，化學(xué)性質(zhì)不活潑，達(dá)到蒸發(fā)溫度時加熱器本身的蒸汽壓要足夠底。
②蒸發(fā)源的熔點(diǎn)要高于被蒸發(fā)物的蒸發(fā)溫度。加熱器要有足夠大的熱容量。
③蒸發(fā)物質(zhì)和蒸發(fā)源材料的互熔性必須很底，不易形成合金。
④要求線圈狀蒸發(fā)源所用材料能與蒸發(fā)材料有良好的浸潤，有較大的表面張力。
⑤對于不易制成絲狀、或蒸發(fā)材料與絲狀蒸發(fā)源的表面張力較小時，可采用舟狀蒸發(fā)源。
3）熱蒸發(fā)鍍膜主要物理過程
①采用各種形式的熱能轉(zhuǎn)換方式，使鍍膜材料蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量（0.1~0.3eV）的氣態(tài)粒子（原子、分子或原子團(tuán)）；
②氣態(tài)粒子通過基本上無碰撞的直線運(yùn)動方式傳輸?shù)交?nbsp;
③粒子沉積在基片表面上并凝聚成薄膜。
4）影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素:
影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素有很多，主要有真空度、蒸發(fā)源的形狀、基片的位置、蒸發(fā)源的溫度等。固體物質(zhì)在常溫和常壓下，蒸發(fā)量極低。真空度越高，蒸發(fā)源材料的分子越易于離開材料表面向四周散射。真空室內(nèi)的分子越少，蒸發(fā)分子與氣體分子碰撞的概率就越小，從而能無阻擋地直線達(dá)到基片的表面。
實驗總結(jié)
本實驗是有關(guān)真空鍍膜技術(shù)的基礎(chǔ)性實驗，屬于技術(shù)性實驗，通過這個實驗讓我進(jìn)一步熟悉真空獲得和測量，學(xué)會使用蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，了解蒸發(fā)鍍膜的原理及方法和了解真空鍍膜技術(shù)。同時培養(yǎng)了我嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖黠L(fēng)，提供了極好的學(xué)習(xí)與實踐機(jī)會。
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